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豪掷20万亿韩元!三星在韩新半导体研发中心破土动工

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豪掷20万亿韩元!三星在韩新半导体研发中心破土动工

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【原创】 作者:周博览

2022-08-19 15:05

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  【CNMO新闻】三星作为全球知名的半导体生产厂商,其半导体研发制造技术一直处于全球领先位置。此前不久,三星3NM工艺还成功实现量产,在半导体的发展上更进一步。近日,CNMO发现,三星在韩国的一个新的半导体研发中心已经破土动工,计划到2028年在该研发中心投资约20万亿韩元(折合人民币约1027亿元),以此加强三星在半导体领域的地位。三星  据悉,该研发中心位于首尔南部器兴,主要针对下一代存储和系统芯片设备和流程进行研究,同时还将基于长期路线图进行全新技术开发。三星电子副会长李在镕在该研发中心动工仪式上表示,三星将延续先发制人的投资、重视技术的传统。三星芯片  相关数据显示,三星在2022年上半年在工厂和设施上投资了20.25万亿韩元,相比去年同期减少了3.4万亿韩元的投资,其中80%用于半导体行业。三星为了进一步稳固自己在半导体行业的地位,还在美国德克萨斯州建立了一个新的半导体设施。  值得一提的是,三星希望能够建立新的研发中心来推进NAND闪存的制造,并能够在2022年底之前开始制造基于236层的NAND闪充芯片,暂且不知该研发中心是否为首尔南部器兴研发中心。 

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